1226AS-H-150M=P2

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1226AS-H-150M=P2
深圳市華芯盛世科技有限公司
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1226AS-H-150M=P2
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
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功能描述
15μH Shielded Wirewound Inductor 800mA 324 mOhm Max Nonstandard
制造商
murata electronics north america
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
類型
繞線
材料 - 磁芯
鐵氧體
電感
15μH
容差
±20%
額定電流
800mA
電流 - 飽和值
500mA
屏蔽
屏蔽
DC 電阻（DCR）
324 毫歐最大
不同頻率時的 Q 值
-
頻率 - 自諧振
-
等級
-
工作溫度
-40°C ~ 85°C
頻率 - 測試
100kHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
非標準
大小/尺寸
0.126" 長 x 0.118" 寬（3.20mm x 3.00mm）
高度 - 安裝（最大值）
0.059"（1.50mm）
標準包裝
1

1226AS-H-150M=P2 技術參數

1226AS-H-120M=P2 功能描述:12μH Shielded Wirewound Inductor 850mA 275 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:12μH 容差:±20% 額定電流:850mA 電流 - 飽和值:600mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:275 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.126" 長 x 0.118" 寬（3.20mm x 3.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.059"（1.50mm）標準包裝:1 1226AS-H-100M=P2 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 1A 216 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:10μH 容差:±20% 額定電流:1A 電流 - 飽和值:650mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:216 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.126" 長 x 0.118" 寬（3.20mm x 3.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.059"（1.50mm）標準包裝:1 12268-00000-20 功能描述:3M PRIVO PROTECTIVE EYEW 制造商:3m 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 12267-00000-20 功能描述:3M PRIVO PROTECTIVE EYEW 制造商:3m 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 1-22667-4 功能描述:SCREW,SET,SOC,OVAL PT 制造商:te connectivity amp connectors 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:100 1226-J 1226-K 1226-L 12-26-NB 12-26-P 1227 122707-1 1-227079-1 1-227079-6 1-227079-9 122708-1 1-227086-0 12-271 1-2271454-6 1-2271457-6 1-227161-0 1-227161-4 1-227161-5