1N5226B A0G

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功能描述
DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35
制造商
taiwan semiconductor corporation
系列
-
包裝
帶盒（TB）
零件狀態(tài)
在售
電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）
3.3V
容差
±5%
功率 - 最大值
500mW
阻抗（最大值）（Zzt）
28 Ohms
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
25μA @ 1V
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf
1.1V @ 200mA
工作溫度
100°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
DO-204AH，DO-35，軸向
供應商器件封裝
DO-35
標準包裝
5,000

1N5226B A0G 技術參數(shù)

1N5226B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:28 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5226B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 1N5226A (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:28 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5226A 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 1N5225TA 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 950mV 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5226BTR 1N5226B-TR 1N5226BUR-1 1N5226C-TAP 1N5226C-TR 1N5226TA 1N5227A (DO-35) 1N5227B 1N5227B (DO-35) 1N5227B A0G 1N5227B TR 1N5227B_T50A 1N5227B_T50R 1N5227B-T 1N5227BTA 1N5227B-TAP 1N5227B-TP 1N5227BTR