1N5251BDO35

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE ZENER 22V 500MW DO35

1N5251BDO35 技術(shù)參數(shù)

1N5251B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 22V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:22V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 17V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5251B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 22V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:22V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 17V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5251B TR 功能描述:DIODE ZENER 22V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:22V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 17V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5251B BK 功能描述:DIODE ZENER 22V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:22V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 17V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N5251B A0G 功能描述:DIODE ZENER 22V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:22V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 17V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:100°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5251TA 1N5252A 1N5252A (DO-35) 1N5252B 1N5252B (DO-35) 1N5252B A0G 1N5252B BK 1N5252B TR 1N5252B_S00Z 1N5252B_T50R 1N5252BDO35E3 1N5252B-T 1N5252BTA 1N5252B-TAP 1N5252B-TP 1N5252BTR 1N5252B-TR 1N5252C-TAP