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1N5263B-TR

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  • 1N5263B-TR
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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:何芝

    電話:19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 4556

  • VISHAY

  • 1425

  • -
  • 原裝正品,現(xiàn)貨庫存!

  • 1N5263B-TR
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • VISHAY

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  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人:李瑞兵

    電話:18897698645

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Vishay

  • 22+

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  • 功能描述
  • 穩(wěn)壓二極管 56 Volt 0.5 Watt
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齊納電壓
  • 12 V
  • 電壓容差
  • 5 %
  • 電壓溫度系數(shù)
  • 0.075 % / K
  • 齊納電流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄電流
  • 3 uA
  • 最大齊納阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • DO-214AC
  • 封裝
  • Reel
1N5263B-TR 技術參數(shù)
  • 1N5263B-TP 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):150 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 43V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5263B-TAP 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):150 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 43V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5263B-T50R 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):150 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 43V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 基本零件編號:1N5263 標準包裝:1 1N5263B-T 功能描述:DIODE ZENER 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):生命周期結束 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):1300 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 43V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5263BDO35 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):150 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 43V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5264B TR 1N5264BDO35 1N5264B-T 1N5264B-TAP 1N5264B-TP 1N5264B-TR 1N5264BUR-1 1N5264C-TAP 1N5264C-TR 1N5265 1N5265A 1N5265A (DO-35) 1N5265B 1N5265B (DO-35) 1N5265B TR 1N5265BDO35 1N5265BDO35E3 1N5265B-T
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