1N5273B-TP

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功能描述
穩(wěn)壓二極管 120V 1mA
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齊納電壓
12 V
電壓容差
5 %
電壓溫度系數(shù)
0.075 % / K
齊納電流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄電流
3 uA
最大齊納阻抗
7 Ohms
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-214AC
封裝
Reel

1N5273B-TP 技術(shù)參數(shù)

1N5273BDO35 功能描述:DIODE ZENER 120V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:120V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:900 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 91V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準包裝:10,000 1N5273B TR 功能描述:DIODE ZENER 120V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:120V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:900 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 91V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準包裝:1 1N5273B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 120V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:120V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:900 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 91V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準包裝:1 1N5273A (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 120V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:120V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:900 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 86V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準包裝:1 1N5273A 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準包裝:1 1N5275A (DO-35) 1N5275B (DO-35) 1N5275BDO35 1N5275B-TP 1N5275BUR-1 1N5276A 1N5276A (DO-35) 1N5276B (DO-35) 1N5276BDO35 1N5276B-TP 1N5276BUR-1 1N5277A (DO-35) 1N5277A(DO-35)TR 1N5277B (DO-35) 1N5277BUR-1 1N5278A 1N5278A (DO-35) 1N5278B (DO-35)