1N5334BE3

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功能描述
DIODE ZENER 3.6V 5W T-18
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> 單二極管/齊納
系列
-
標準包裝
1
系列
-
電壓 - 齊納（標稱）(Vz)
36V
電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）
900mV @ 10mA
電流 - 在 Vr 時反向漏電
100nA @ 27V
容差
±5%
功率 - 最大
200mW
阻抗（最大）(Zzt)
70 歐姆
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SC-70，SOT-323
供應商設備封裝
SOT-323
包裝
剪切帶 (CT)
工作溫度
-65°C ~ 150°C
產品目錄頁面
1585 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱
MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT

1N5334BE3 技術參數(shù)

1N5334B/TR8 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:150μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1,000 1N5334B/TR12 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:150μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應商器件封裝:T-18 標準包裝:3,000 1N5334B 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:150μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應商器件封裝:T-18 標準包裝:3,000 1N5334AE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.6V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:150μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1,000 1N5334AE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.6V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:150μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1,250 1N5334CE3/TR13 1N5334CE3/TR8 1N5334E3/TR12 1N5334E3/TR13 1N5334E3/TR8 1N5335/TR12 1N5335/TR8 1N5335A/TR12 1N5335A/TR8 1N5335AE3/TR12 1N5335AE3/TR13 1N5335AE3/TR8 1N5335B 1N5335B/TR12 1N5335B/TR8 1N5335BE3 1N5335BE3/TR12 1N5335BE3/TR13