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1N5756B

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER SGL 68V 5% 480MW 2PIN DO-35 - Bulk
1N5756B 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5755D 功能描述:DIODE ZENER 62V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):62V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):215 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 43V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5755C 功能描述:DIODE ZENER 62V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):62V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):215 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 43V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5755B 功能描述:DIODE ZENER 62V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):62V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):215 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 43V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5754D 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):56V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 39V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5754C 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):56V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 39V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5772 1N5774 1N5802 1N5802US 1N5803 1N5804 1N5804US 1N5805 1N5806 1N5806/TR 1N5806C.TR 1N5806E3/TR 1N5806TR 1N5806US 1N5806US/TR 1N5806USE3 1N5806USE3/TR 1N5807
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