1N6000B BK

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型號(hào)
供應(yīng)商
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廠商
封裝
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價(jià)格
說明
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功能描述
DIODE ZENER 10V 500MW DO35
制造商
central semiconductor corp
系列
-
包裝
散裝
零件狀態(tài)
在售
電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）
10V
容差
±5%
功率 - 最大值
500mW
阻抗（最大值）（Zzt）
15 Ohms
不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流
100nA @ 8V
不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf
1.5V @ 100mA
工作溫度
-65°C ~ 200°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
DO-204AH，DO-35，軸向
供應(yīng)商器件封裝
DO-35
標(biāo)準(zhǔn)包裝
2,500

1N6000B BK 技術(shù)參數(shù)

1N6000B 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6000A 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:10V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 6.5V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5999UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5999UR 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5999D 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:9.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6001B_T50A 1N6001B_T50R 1N6001C 1N6001D 1N6001UR 1N6001UR-1 1N6002A 1N6002B 1N6002B BK 1N6002B TR 1N6002B_T50A 1N6002B_T50R 1N6002B-TP 1N6002C 1N6002D 1N6002UR 1N6002UR-1 1N6003A