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1N6006UR-1

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  • 林沃田信息技術(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:岳先生 田小姐

    電話:0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 92500

  • Microsemi Corporation

  • ZENER DIODE

  • 22+

  • -
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  • 1
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  • 功能描述
  • Zener Diode
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • *
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 標準包裝
  • 1
1N6006UR-1 技術參數(shù)
  • 1N6006UR 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:1 1N6006D 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):18V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):42 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 14V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6006C 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):18V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):42 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 14V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6006B-TP 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):42 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 14V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6006B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):42 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 14V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N6008A 1N6008B 1N6008B_T50A 1N6008B_T50R 1N6008C 1N6008D 1N6008UR 1N6008UR-1 1N6009A 1N6009B 1N6009B BK 1N6009B_T50A 1N6009B_T50R 1N6009B-TP 1N6009C 1N6009D 1N6009UR 1N6009UR-1
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