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1N646-1

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TVS SGL UNI-DIR 5V 500W 2PIN E - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE RECT STD DO-31
1N646-1 技術(shù)參數(shù)
  • 1N6461 功能描述:TVS DIODE 5VWM 9VC BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關(guān)態(tài)(典型值):5V 電壓 - 擊穿(最小值):5.6V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:9V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):315A(8/20μs) 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護(hù):無(wú) 應(yīng)用:通用 不同頻率時(shí)的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:B,軸向 供應(yīng)商器件封裝:軸向 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N646 1N645UR-1 功能描述:DIODE GEN PURP 225V 400MA DO213 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):225V 電流 - 平均整流(Io):400mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1V @ 400mA 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50nA @ 225V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N645-1/TR 功能描述:SWITCHING 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):225V 電流 - 平均整流(Io):400mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1V @ 400mA 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50nA @ 225V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 1N645-1 功能描述:DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):225V 電流 - 平均整流(Io):400mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1V @ 400mA 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50nA @ 225V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6465US 1N6466 1N6466US 1N6467 1N6467US 1N6468 1N6468US 1N6469 1N6469US 1N6470 1N6470US 1N6471 1N647-1 1N6471US 1N6472 1N6472US 1N6473 1N6473US
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