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1N6638US/TR

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  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
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  • 功能描述
  • SWITCHING
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 二極管類(lèi)型
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）
  • 125V
  • 電流 - 平均整流（Io）
  • 300mA
  • 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf
  • 1.1V @ 200mA
  • 速度
  • 快速恢復(fù) = 200mA（Io）
  • 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）
  • 20ns
  • 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流
  • 500nA @ 125V
  • 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容
  • 2.5pF @ 0V，1MHz
  • 安裝類(lèi)型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • SQ-MELF，D
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • D-5D
  • 工作溫度 - 結(jié)
  • -65°C ~ 175°C
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 100
1N6638US/TR 技術(shù)參數(shù)
  • 1N6638US 功能描述:DIODE GEN PURPOSE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6638 功能描述:DIODE GEN PURPOSE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6637US 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 5W D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:400 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，E 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6637 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 5W AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:400 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:E，軸向 供應(yīng)商器件封裝:E，軸向 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6636US 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 5W D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:450 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:20μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，E 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6657 1N6657R 1N6658 1N6658R 1N6659 1N6659R 1N6660 1N6660CAT1 1N6660CCT1 1N6660DT1 1N6660R 1N6661 1N6662 1N6662US 1N6663 1N6663US 1N6672 1N6672R
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