1N8032-GA

配單專家企業(yè)名單

型號
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數(shù)量
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封裝
批號
價格
說明
操作

1N8032-GA
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
只做原裝正品歡迎洽談電話010-62...

1N8032-GA
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
20
GENESIC S
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

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功能描述
肖特基二極管與整流器 650V, 5A, 225 Deg C
RoHS
否
制造商
Skyworks Solutions, Inc.
產(chǎn)品
Schottky Diodes
峰值反向電壓
2 V
正向連續(xù)電流
50 mA
最大浪涌電流
配置
Crossover Quad
恢復(fù)時間
正向電壓下降
370 mV
最大反向漏泄電流
最大功率耗散
75 mW
工作溫度范圍
- 65 C to + 150 C
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOT-143
封裝
Reel

1N8032-GA 技術(shù)參數(shù)

1N8031-GA 功能描述:DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 速度:無恢復(fù)時間 > 500mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 650V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:76pF @ 1V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-276AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-276 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 250°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 1N8030-GA 功能描述:DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 電流 - 平均整流（Io）:750mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.39V @ 750mA 速度:無恢復(fù)時間 > 500mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 650V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:76pF @ 1V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-257-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-257 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 250°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 1N8028-GA 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:9.4A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.6V @ 10A 速度:無恢復(fù)時間 > 500mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:884pF @ 1V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-257-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-257 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 250°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 1N8026-GA 功能描述:DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:8A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.6V @ 2.5A 速度:無恢復(fù)時間 > 500mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:237pF @ 1V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-257-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-257 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 250°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 1N8024-GA 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:750mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.74V @ 750mA 速度:無恢復(fù)時間 > 500mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:66pF @ 1V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-257-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-257 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 250°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 1N8150 1N8150US 1N8151 1N8151US 1N8152 1N8152US 1N8153 1N8153US 1N8154 1N8154US 1N8155 1N8155US 1N8156 1N8156US 1N8157 1N8157US 1N8158 1N8158US