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1N829AUR

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 6.2V 500MW DO-213AA
1N829AUR 技術(shù)參數(shù)
  • 1N829A (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N829A 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AA,DO-7,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-7 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N829-1 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):15 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N829 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):15 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AA,DO-7,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-7 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N828 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):15 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AA,DO-7,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-7 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N914ATR 1N914B 1N914B A0G 1N914B,113 1N914B_S00Z 1N914B_S62Z 1N914B_T50A 1N914B_T50R 1N914B-TP 1N914BTR 1N914BTR_S00Z 1N914BW RHG 1N914BWS 1N914BWS RRG 1N914BWT 1N914-T50A 1N914TAP 1N914-TP
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