1SS193S,LF(D

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說明
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功能描述
DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI
制造商
toshiba semiconductor and storage
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
生命周期結(jié)束
二極管類型
標(biāo)準(zhǔn)
電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）
80V
電流 - 平均整流（Io）
100mA
不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）
1.2V @ 100mA
速度
小信號 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢復(fù)時(shí)間（trr）
4ns
不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流
500nA @ 80V
不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容
3pF @ 0V，1MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝
S-Mini
工作溫度 - 結(jié)
125°C（最大）
標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000

1SS193S,LF(D 技術(shù)參數(shù)

1SS193,LF 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:3pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:S-Mini 工作溫度 - 結(jié):125°C（最大）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SS190TE85LF 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SC-59-3 工作溫度 - 結(jié):125°C（最大）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SS187,LF 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:S-Mini 工作溫度 - 結(jié):125°C（最大）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1SS184-TP 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT23 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:100mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1SS184S,LF(D 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):生命周期結(jié)束二極管配置:1 對共陰極二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:100mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:S-Mini 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1SS294S,LF(D 1SS295(TE85L,F) 1SS300,LF 1SS301,LF 1SS301SU,LF 1SS302A,LF 1SS302TE85LF 1SS306TE85LF 1SS307(TE85L,F) 1SS307E,L3F 1SS308(TE85L,F 1SS309(TE85L,F) 1SS315TPH3F 1SS319(TE85L,F) 1SS351-TB-E 1SS352,H3F 1SS355 RRG 1SS355TE-17