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1SV279TH3FT

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  • 制造商
  • Toshiba America Electronic Components
  • 功能描述
  • Diode VAR Cap Single 15V 14pF 2-Pin ESC
  • 制造商
  • Toshiba America Electronic Components
  • 功能描述
  • VARICAP DIODE - Tape and Reel
1SV279TH3FT 技術(shù)參數(shù)
  • 1SV279,H3F 功能描述:PB-F ESC VARICAP DIODE (HF), IR= 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:6.5pF @ 10V,1MHz 電容比:2.5 電容比條件:C2/C10 電壓 - 峰值反向(最大值):15V 二極管類型:單一 不同 Vr,F(xiàn) 時(shí)的 Q 值:- 工作溫度:125°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-79,SOD-523 供應(yīng)商器件封裝:ESC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 1SV277TPH3F 功能描述:DIODE VARICAP VCO UHF USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:2.35pF @ 4V,1MHz 電容比:2.3 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向(最大值):10V 二極管類型:單一 不同 Vr,F(xiàn) 時(shí)的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-76,SOD-323 供應(yīng)商器件封裝:USC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SV270TPH3F 功能描述:DIODE VARICAP VCO UHF USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:8.7pF @ 4V,1MHz 電容比:2 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向(最大值):10V 二極管類型:單一 不同 Vr,F(xiàn) 時(shí)的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-76,SOD-323 供應(yīng)商器件封裝:USC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SV267-TB-E 功能描述:DIODE PIN 50V 50MA DUAL CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:PIN - 1 對串聯(lián) 電壓 - 峰值反向(最大值):50V 電流 - 最大值:50mA 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:0.23pF @ 50V,1MHz 不同?If,F(xiàn) 時(shí)的電阻:2.5 歐姆 @ 10mA,100MHz 功率耗散(最大值):150mW 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1SV264-TL-E 功能描述:DIODE PIN 50V 50MA DUAL CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:PIN - 1 對串聯(lián) 電壓 - 峰值反向(最大值):50V 電流 - 最大值:50mA 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:0.4pF @ 50V,1MHz 不同?If,F(xiàn) 時(shí)的電阻:4.5 歐姆 @ 10mA,100MHz 功率耗散(最大值):100mW 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:3-MCP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1SV308,L3F 1SV310TPH3F 1SV311(TPH3,F) 1SV314(TPL3,F) 1SV315-TL-E 1SV322(TPH3,F) 1SV323,H3F 1SV324TPH3F 1SV325,H3F 1SWHT 1SX250LH2F55E1VG 1SX250LH2F55E2LG 1SX250LH2F55E2VG 1SX250LH2F55I1VG 1SX250LH2F55I2LG 1SX250LH2F55I2VG 1SX250LH3F55E1VG 1SX250LH3F55E2LG
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