2N3251AUB

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
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封裝
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說明
操作

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制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR

2N3251AUB 技術(shù)參數(shù)

2N3251A 功能描述:DIE TRANS PNP SMALL SIGNAL 60V 制造商:fairchild/micross components 系列:* 零件狀態(tài):有效標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 2N3250A 功能描述:TRANS PNP 60V 0.2A TO18 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-39（TO-205AD）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N3250 功能描述:TRANS PNP 40V 0.2A TO-18 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N3117 功能描述:DIE TRANS NPN SMALL SIGNAL 60V 制造商:fairchild/micross components 系列:* 零件狀態(tài):有效標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 2N3108 功能描述:NPN SS AMP 5W TRANSISTOR 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，1V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-39 基本零件編號(hào):2N3108 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2N335ALT2 2N335AT2 2N335LT2 2N335T2 2N336 2N336A 2N336ALT2 2N336AT2 2N336LT2 2N336T2 2N3390 2N3390_D75Z 2N3391A 2N3392 2N3393 2N3393_D26Z 2N3415 2N3415_D26Z