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2N4393-E3

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • 2N4393-E3
    2N4393-E3

    2N4393-E3

  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

    聯(lián)系人：優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨代理商

    電話：0755-82774613鄧先生（13480915249）微信同步0755-82774613鄧先生

    地址：深圳市福田區(qū)工發(fā)路上步管理大廈501棟501室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 19932

  • 原廠

  • SMD

  • 22+

  • -

  • 授權(quán)分銷商，可追溯原廠可含稅

  • 2N4393-E3
    2N4393-E3

    2N4393-E3

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 665

  • VISHAY SI

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共19條 
  • 1
2N4393-E3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • JFET 55V 5pA
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）
  • 50 mA
  • 漏源電壓 VDS
  • 15 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 漏極連續(xù)電流
  • 50 mA
  • 配置
  • 安裝風(fēng)格
  • 封裝 / 箱體
  • SC-59
  • 封裝
  • Reel
2N4393-E3 技術(shù)參數(shù)
  • 2N4393-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:500mV @ 1nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:14pF @ 20V 電阻 - RDS（開）:100 歐姆 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA（TO-18） 功率 - 最大值:1.8W 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 2N4393 功能描述:JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:500mV @ 1nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:14pF @ 20V 電阻 - RDS（開）:100 歐姆 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-18 功率 - 最大值:1.8W 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N4392UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N4392-E3 功能描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:25mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:2V @ 1nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:14pF @ 20V 電阻 - RDS（開）:60 歐姆 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA（TO-18） 功率 - 最大值:1.8W 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 2N4392-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:25mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:2V @ 1nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:14pF @ 20V 電阻 - RDS（開）:60 歐姆 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA（TO-18） 功率 - 最大值:1.8W 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 2N4400TFR 2N4401 2N4401,116 2N4401_D11Z 2N4401_D81Z 2N4401_J05Z 2N4401_J18Z 2N4401_J25Z 2N4401_J60Z 2N4401_J61Z 2N4401_S00Z 2N4401-AP 2N4401BU 2N4401G 2N4401NLBU 2N4401RLRA 2N4401RLRAG 2N4401RLRM
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