2N5308_D74Z

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型號
供應(yīng)商
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封裝
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說明
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功能描述
達(dá)林頓晶體管 NPN Transistor Darlington
RoHS
否
制造商
Texas Instruments
配置
Octal
晶體管極性
NPN
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
50 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
集電極—基極電壓 VCBO
最大直流電集電極電流
0.5 A
最大集電極截止電流
功率耗散
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOIC-18
封裝
Reel

2N5308_D74Z 技術(shù)參數(shù)

2N5308_D27Z 功能描述:TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN - 達(dá)林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.4V @ 200μA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:7000 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5308_D26Z 功能描述:TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN - 達(dá)林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.4V @ 200μA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:7000 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5308 功能描述:TRANS NPN DARL 40V 0.3A TO-92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN - 達(dá)林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:300mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.4V @ 200μA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:7000 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:60MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA）供應(yīng)商器件封裝:TO-92 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 2N5307_D74Z 功能描述:TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN - 達(dá)林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.4V @ 200μA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5307 功能描述:TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN - 達(dá)林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.4V @ 200μA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5348 2N5349 2N5366 2N5366_D26Z 2N5366_D27Z 2N5366_D75Z 2N5367 2N5375 2N5384 2N5385 2N5400 2N5400_D26Z 2N5400_D27Z 2N5400_D75Z 2N5400_D81Z 2N5400_S00Z 2N5400G 2N5400RA