2N5457G

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2N5457G
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業(yè)執(zhí)照
10000
ON
原廠封裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

2N5457G
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
08+
-
假一罰十，百分百原裝正品

2N5457G
深圳市悅興晨電子科技有限公司
深圳市悅興晨電子科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：０７５５-８２８１２００４82811605
地址：深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)405棟607室柜臺號新亞洲二期N2B227
15600
on
原廠原封裝
2023+
-
全新原裝部分發(fā)貨3-5天

2N5457G
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
ONSEMI
原廠封裝
最新批號
-
一級代理，原裝正品現(xiàn)貨??！

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功能描述
JFET 25V 10mA
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
晶體管極性
N-Channel
漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）
50 mA
漏源電壓 VDS
15 V
閘/源擊穿電壓
漏極連續(xù)電流
50 mA
配置
安裝風格
封裝 / 箱體
SC-59
封裝
Reel

2N5457G 技術參數(shù)

2N5457_L99Z 功能描述:IC AMP GP N-CHAN 25V 10MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):停產 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:25V 漏源電壓（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 15V 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:500mV @ 10nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7pF @ 15V 功率 - 最大值:310mW 工作溫度:135°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92（TO-226）標準包裝:2,000 2N5457_D75Z 功能描述:JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:25V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:1mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:500mV @ 10nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:625mW 標準包裝:2,000 2N5457_D74Z 功能描述:JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:25V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:1mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:500mV @ 10nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:625mW 標準包裝:2,000 2N5457_D27Z 功能描述:JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:25V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:1mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:500mV @ 10nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:625mW 標準包裝:2,000 2N5457_D26Z 功能描述:JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:25V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:1mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:500mV @ 10nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:625mW 標準包裝:2,000 2N5460_D27Z 2N5460_D74Z 2N5460_D75Z 2N5460_L99Z 2N5460G 2N5461 2N5461_D26Z 2N5461_D74Z 2N5461_L99Z 2N5461G 2N5461RLRA 2N5461RLRAG 2N5462 2N5462_D27Z 2N5462G 2N5484 2N5484_D26Z 2N5484_D27Z