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2SA1972,F(J

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 封裝
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2SA1972,F(J PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • TRANS PNP 500MA 400V TO226-3
  • 制造商
  • toshiba semiconductor and storage
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 停產(chǎn)
  • 晶體管類型
  • PNP
  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值)
  • 500mA
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)
  • 400V
  • 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值)
  • 1V @ 10mA,100mA
  • 電流 - 集電極截止(最大值)
  • 10μA(ICBO)
  • 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
  • 140 @ 20mA,5V
  • 功率 - 最大值
  • 900mW
  • 頻率 - 躍遷
  • 35MHz
  • 工作溫度
  • 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-226-3,TO-92-3 長體
  • 供應商器件封裝
  • TO-92MOD
  • 標準包裝
  • 1
2SA1972,F(J 技術(shù)參數(shù)
  • 2SA1962RTU 功能描述:TRANS PNP 250V 17A TO-3P 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):17A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):250V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 800mA,8A 電流 - 集電極截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):55 @ 1A,5V 功率 - 最大值:130W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:30 2SA1962OTU 功能描述:TRANS PNP 250V 17A TO-3P 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):17A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):250V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 800mA,8A 電流 - 集電極截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 1A,5V 功率 - 最大值:130W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:30 2SA1962-O(Q) 功能描述:TRANS PNP 230V 15A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):15A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):230V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 800mA,8A 電流 - 集電極截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 1A,5V 功率 - 最大值:130W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P(N) 標準包裝:50 2SA1955FVBTPL3Z 功能描述:TRANS PNP 12V 0.4A VESM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):400mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 10mA,200mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):300 @ 10mA,2V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:130MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:VESM 標準包裝:1 2SA1955FVATPL3Z 功能描述:TRANS PNP 12V 0.4A VESM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):400mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 10mA,200mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):300 @ 10mA,2V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:130MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 供應商器件封裝:CST3 標準包裝:1 2SA2013-TD-E 2SA2016-TD-E 2SA2018TL 2SA202800L 2SA2028G0L 2SA2029M3T5G 2SA2029T2LQ 2SA2029T2LR 2SA2030T2L 2SA2039-E 2SA2039-H 2SA2039-TL-E 2SA2039-TL-H 2SA2040-E 2SA2040-TL-E 2SA204600L 2SA2048KT146Q 2SA20570P
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