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2SA965-Y,T6F(J

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
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  • 1
2SA965-Y,T6F(J PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
  • 制造商
  • toshiba semiconductor and storage
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 停產(chǎn)
  • 晶體管類(lèi)型
  • PNP
  • 電流 - 集電極（Ic）（最大值）
  • 800mA
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）
  • 120V
  • 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）
  • 1V @ 50mA，500mA
  • 電流 - 集電極截止（最大值）
  • 100nA（ICBO）
  • 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
  • 80 @ 100mA，5V
  • 功率 - 最大值
  • 900mW
  • 頻率 - 躍遷
  • 120MHz
  • 工作溫度
  • 150°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • LSTM
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
2SA965-Y,T6F(J 技術(shù)參數(shù)
  • 2SA965-Y,SWFF(M 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類(lèi)型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:LSTM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SA965-Y,F(J 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類(lèi)型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:LSTM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SA965-Y(T6CANO,FM 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類(lèi)型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:LSTM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SA965-Y(F,M) 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類(lèi)型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:LSTM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SA965-O,F(J 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類(lèi)型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:LSTM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SAR512PFRAT100 2SAR512PT100 2SAR512RTL 2SAR513P5T100 2SAR513PFRAT100 2SAR513PT100 2SAR513RTL 2SAR514P5T100 2SAR514PFRAT100 2SAR514PT100 2SAR514RTL 2SAR522EBTL 2SAR522MT2L 2SAR522UBTL 2SAR523EBTL 2SAR523MT2L 2SAR523UBTL 2SAR533P5T100
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