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2SAR586D3TL1

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  • 2SAR586D3TL1
    2SAR586D3TL1

    2SAR586D3TL1

  • 中山市翔美達電子科技有限公司
    中山市翔美達電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

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  • 功能描述
  • POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA
  • 制造商
  • rohm semiconductor
  • 系列
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 晶體管類型
  • PNP
  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值)
  • 5A
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)
  • 80V
  • 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值)
  • 320mV @ 100mA,2A
  • 電流 - 集電極截止(最大值)
  • 1μA(ICBO)
  • 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
  • 120 @ 500mA,3V
  • 功率 - 最大值
  • 10W
  • 頻率 - 躍遷
  • 200MHz
  • 工作溫度
  • 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-252
  • 標準包裝
  • 1
2SAR586D3TL1 技術(shù)參數(shù)
  • 2SAR574D3TL1 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:280MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252 標準包裝:1 2SAR573D3TL1 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:300MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252 標準包裝:1 2SAR572DGTL 功能描述:TRANS PNP 30V 5A CPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 100mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:CPT3 標準包裝:1 2SAR572D3TL1 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 100mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:300MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252 標準包裝:1 2SAR554RTL 功能描述:TRANS PNP 80V 1.5A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 25mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:340MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-96 供應(yīng)商器件封裝:TSMT3 標準包裝:1 2SB07100RL 2SB07100SL 2SB0710A0L 2SB0710AQL 2SB0710ARL 2SB0710ASL 2SB07660RL 2SB0766ARL 2SB0766GRL 2SB07670QL 2SB07670RL 2SB07740RA 2SB07790RL 2SB07890RL 2SB0789AQL 2SB0789ARL 2SB0789GRL 2SB07920SL
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