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2SC5086-O,LF

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  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 2SC5086-O,LF
    2SC5086-O,LF

    2SC5086-O,LF

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 只做原裝正品 歡迎洽談 電話010-62...

  • 2SC5086-O,LF
    2SC5086-O,LF

    2SC5086-O,LF

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人:陳小姐

    電話:13428937909

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 2019

  • Toshiba Semiconductor and

  • 2016+

  • -
  • 公司現(xiàn)貨!只做原裝!

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
2SC5086-O,LF PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • TRANS RF NPN 12V 1MHZ SSM
  • 制造商
  • toshiba semiconductor and storage
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • 晶體管類型
  • NPN
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)
  • 12V
  • 頻率 - 躍遷
  • 7GHz
  • 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值)
  • 1dB @ 500MHz
  • 增益
  • -
  • 功率 - 最大值
  • 100mW
  • 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
  • 80 @ 20mA,10V
  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值)
  • 80mA
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • SC-75,SOT-416
  • 供應商器件封裝
  • SSM
  • 標準包裝
  • 1
2SC5086-O,LF 技術參數
  • 2SC5085-Y(TE85L,F) 功能描述:TRANSISTOR NPN MM USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.1dB @ 1GHz 增益:11dB ~ 16.5dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):80mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1 2SC5085-O(TE85L,F) 功能描述:TRANS RF NPN 12V 1MHZ USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):80mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1 2SC5084YTE85LF 功能描述:TRANSISTOR NPN MM S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.1dB @ 1GHz 增益:11dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):80mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SC-59 標準包裝:1 2SC5084-O(TE85L,F) 功能描述:TRANS RF NPN 7GHZ 80MA SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.1dB @ 1GHz 增益:11dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):80mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 2SC5071 功能描述:TRANS NPN 400V 12A TO-220F 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):12A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 1.4A,7A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10 @ 7A,4V 功率 - 最大值:100W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:30 2SC5099 2SC5100 2SC5101 2SC5103TLP 2SC5103TLQ 2SC5108-Y,LF 2SC51210P 2SC5130 2SC5161TLB 2SC5171(LBS2MATQ,M 2SC5171(ONK,Q,M) 2SC5171,MATUDQ(J 2SC5171,ONKQ(J 2SC5171,Q(J 2SC5172(YAZK,Q,M) 2SC5200 2SC5200N(S1,E,S) 2SC5200-O(Q)
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