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2SD2129,ALPSQ(M

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  • 型號(hào)
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  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
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2SD2129,ALPSQ(M PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • TRANS NPN 3A 100V TO220-3
  • 制造商
  • toshiba semiconductor and storage
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 停產(chǎn)
  • 晶體管類型
  • NPN
  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值)
  • 3A
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)
  • 100V
  • 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值)
  • 2V @ 12mA,3A
  • 電流 - 集電極截止(最大值)
  • 100μA(ICBO)
  • 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
  • 2000 @ 1.5A,3V
  • 功率 - 最大值
  • 2W
  • 頻率 - 躍遷
  • -
  • 工作溫度
  • 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-220NIS
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
2SD2129,ALPSQ(M 技術(shù)參數(shù)
  • 2SD2118TLR 功能描述:TRANS NPN 20V 5A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 100mA,4A 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:CPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SD2118TLQ 功能描述:TRANS NPN 20V 5A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 100mA,4A 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:CPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SD2114KT146W 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A SOT-346 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 20mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):820 @ 10mA,3V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:350MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SMT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SD2114KT146V 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A SOT-346 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 20mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):820 @ 10mA,3V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:350MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SMT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SD2098T100S 功能描述:TRANS NPN 20V 5A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 100mA,4A 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):270 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:MPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SD21390PA 2SD2141 2SD2142KT146 2SD2143TL 2SD2144STPU 2SD2144STPV 2SD2144STPW 2SD2150T100R 2SD2150T100S 2SD2153T100U 2SD2153T100V 2SD2153T100W 2SD2167T100P 2SD2170T100 2SD217700A 2SD21770SA 2SD2177A0A 2SD21780RA
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