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A2G35S200-01SR3

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  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
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  • 功能描述
  • AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
  • 制造商
  • nxp usa inc.
  • 系列
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 晶體管類型
  • LDMOS
  • 頻率
  • 3.4GHz ~ 3.6GHz
  • 增益
  • 16.1dB
  • 電壓 - 測(cè)試
  • 48V
  • 額定電流
  • -
  • 噪聲系數(shù)
  • -
  • 電流 - 測(cè)試
  • 291mA
  • 功率 - 輸出
  • 180W
  • 電壓 - 額定
  • 125V
  • 封裝/外殼
  • NI-400S-2S
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • NI-400S-2S
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 250
A2G35S200-01SR3 技術(shù)參數(shù)
  • A2G35S160-01SR3 功能描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:LDMOS 頻率:3.4GHz ~ 3.6GHz 增益:15.7dB 電壓 - 測(cè)試:48V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:190mA 功率 - 輸出:51dBm 電壓 - 額定:125V 封裝/外殼:NI-400S-2S 供應(yīng)商器件封裝:NI-400S-2S 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 A2G26H281-04SR3 功能描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:LDMOS 頻率:2.496GHz ~ 2.69GHz 增益:14.2dB 電壓 - 測(cè)試:48V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:150mA 功率 - 輸出:50W 電壓 - 額定:125V 封裝/外殼:NI-780S-4L 供應(yīng)商器件封裝:NI-780S-4L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 A2G26H280-04SR3 A2G22S251-01SR3 功能描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:LDMOS 頻率:1.805GHz ~ 2.2GHz 增益:17.7dB 電壓 - 測(cè)試:48V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:200mA 功率 - 輸出:52dBm 電壓 - 額定:125V 封裝/外殼:NI-400S-2S 供應(yīng)商器件封裝:NI-400S-2S 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 A2G22S160-01SR3 功能描述:RF Mosfet 48V 150mA 2.11GHz 19.6dB 32W NI-400S-240 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:* 頻率:2.11GHz 增益:19.6dB 電壓 - 測(cè)試:48V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:150mA 功率 - 輸出:32W 電壓 - 額定:125V 封裝/外殼:NI-400S-240 供應(yīng)商器件封裝:NI-400S-240 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 A2I20H060NR1 A2I20H080GNR1 A2I20H080NR1 A2I22D050GNR1 A2I22D050NR1 A2I25D012GNR1 A2I25D012NR1 A2I25D025GNR1 A2I25D025NR1 A2I25H060GNR1 A2I25H060NR1 A2I35H060GNR1 A2I35H060NR1 A-2JA A2MXS-1006G A2MXS-1006M A2MXS-1018G A2MXS-1018M
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