A2T18S162W31SR3

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

A2T18S162W31SR3
林沃田信息技術(深圳)有限公司
林沃田信息技術(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
60510
NXP USA Inc.
IC TRANS RF LDMOS
22+
-

A2T18S162W31SR3
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
FreescaleSemiconductor-NX
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： A2T18S165-12SR3 A2T18S260-12SR3 A2T18S260W12NR3 A2T18S261W12NR3 A2T18S262W12NR3 A2T20H160W04NR3 A2T20H330W24NR6 A2T20H330W24SR6 A2T21H100-25SR3

A2T18S162W31SR3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

A2T18S162W31SR3 PDF下載

功能描述
RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.84GHz 20.1dB 32W NI-780S-2L2LA
制造商
freescale semiconductor - nxp
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
有效
晶體管類型
LDMOS
頻率
1.84GHz
增益
20.1dB
電壓 - 測試
28V
額定電流
-
噪聲系數(shù)
-
電流 - 測試
1A
功率 - 輸出
32W
電壓 - 額定
65V
封裝/外殼
NI-780S-2L2LA
供應商器件封裝
NI-780S-2L2LA
標準包裝
250

A2T18S162W31SR3 技術參數(shù)

A2T18S162W31GSR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.84GHz 20.1dB 32W NI-780GS-2L2LA 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:LDMOS 頻率:1.84GHz 增益:20.1dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:1A 功率 - 輸出:32W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-780GS-2L2LA 供應商器件封裝:NI-780GS-2L2LA 標準包裝:250 A2T18S160W31SR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.88GHz 19.9dB 32W NI-780S-2L2LA 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:LDMOS 頻率:1.88GHz 增益:19.9dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:1A 功率 - 輸出:32W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-780S-2L2LA 供應商器件封裝:NI-780S-2L2LA 標準包裝:250 A2T18S160W31GSR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.88GHz 19.9dB 32W NI-780GS-2L2LA 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:LDMOS 頻率:1.88GHz 增益:19.9dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:1A 功率 - 輸出:32W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-780GS-2L2LA 供應商器件封裝:NI-780GS-2L2LA 標準包裝:250 A2T18H455W23NR6 功能描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售晶體管類型:LDMOS 頻率:1.805GHz ~ 1.88GHz 增益:14.5dB 電壓 - 測試:31.5V 額定電流:10μA 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:1.08A 功率 - 輸出:56dBm 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:OM-1230-4L2S 供應商器件封裝:OM-1230-4L2S 標準包裝:150 A2T18H450W19SR6 功能描述:RF Mosfet LDMOS 1.805GHz ~ 1.88GHz 16.5dB 89W NI-1230S-8 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:LDMOS 頻率:1.805GHz ~ 1.88GHz 增益:16.5dB 電壓 - 測試:- 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:89W 電壓 - 額定:30V 封裝/外殼:NI-1230S-8 變式，扁平引線供應商器件封裝:NI-1230S-8 標準包裝:150 A2T21H140-24SR3 A2T21H360-23NR6 A2T21H360-24SR6 A2T21H410-24SR6 A2T21H450W19SR6 A2T21S160-12SR3 A2T21S260-12SR3 A2T21S260W12NR3 A2T23H160-24SR3 A2T23H200W23SR6 A2T23H300-24SR6 A2T26H160-24SR3 A2T26H165-24SR3 A2T26H300-24SR6 A2T27S007NT1 A2T27S020GNR1 A2T27S020NR1 A2V07H400-04NR3