ALD114804SCL

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封裝
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價格
說明
操作

ALD114804SCL
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
110
ADVANCED
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

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功能描述
MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

ALD114804SCL 技術(shù)參數(shù)

ALD114804PCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道，配對 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 3.6V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:360mV @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:16-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商器件封裝:16-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 ALD114804ASCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道，配對 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 3.6V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:380mV @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:16-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:48 ALD114804APCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道，配對 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 3.6V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:380mV @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:16-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商器件封裝:16-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 ALD112 功能描述:General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 12VDC Coil Through Hole 制造商:panasonic electric works 系列:ALD 包裝:管件零件狀態(tài):過期繼電器類型:通用線圈類型:無鎖存線圈電流:16.7mA 線圈電壓:12VDC 觸頭外形:SPST-NO（1 A 型）額定接觸（電流）:3A 開關(guān)電壓:277VAC，30VDC - 最大導(dǎo)通電壓（最大值）:9 VDC 關(guān)閉電壓（最小值）:0.6 VDC 工作時間:10ms 釋放時間:10ms 特性:- 安裝類型:通孔端子類型:PC 引腳觸頭材料:銀鎳（AgNi）線圈功率:200 mW 線圈電阻:720 歐姆工作溫度:-40°C ~ 70°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD111933SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）配對 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 5.9V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.35V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD114913SAL ALD114935PAL ALD114935SAL ALD118 ALD11G48-6L ALD11G48-L ALD11G48N-6L ALD11G48N-L ALD11G48N-SL ALD11G48-SL ALD124 ALD12A48-6L ALD12A48-L ALD12A48N-6L ALD12A48N-L ALD12A48N-SL ALD12A48-SL ALD13Y48-6L