ALD212902SAL

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說明
操作

ALD212902SAL
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
ADVANCED
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

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制造商
Advanced Linear Devices Inc
功能描述
MOSFET N-CH 10V 79MA 8SOIC

ALD212902SAL 技術(shù)參數(shù)

ALD212902PAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）配對(duì) FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商器件封裝:8-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD212900SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）配對(duì) FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 歐姆不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:30pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD212900PAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）配對(duì) FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 歐姆不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:30pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商器件封裝:8-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD212900ASAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）配對(duì) FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 歐姆不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:10mV @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:30pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD212900APAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）配對(duì) FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 歐姆不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:10mV @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:30pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商器件封裝:8-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD2301APAL ALD2301ASAL ALD2301BPAL ALD2301BSAL ALD2301CPAL ALD2301CSAL ALD2301PAL ALD2301SAIL ALD2301SAL ALD2302APAL ALD2302ASAL ALD2302PAL ALD2302SAL ALD2303APAL ALD2303ASAL ALD2303PAL ALD2303SAL ALD2321APCL