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AO4822AL_102

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AO4822AL_102 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態(tài)
  • 過期
  • FET 類型
  • 2 個 N 溝道(雙)
  • FET 功能
  • 邏輯電平門
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 8A
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 19 毫歐 @ 8A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 18nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 888pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
  • 2W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 8-SO
  • 標(biāo)準包裝
  • 1
AO4822AL_102 技術(shù)參數(shù)
  • AO4822AL 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):888pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準包裝:1 AO4822A 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):888pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準包裝:1 AO4822_101 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):888pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準包裝:1 AO4821L 功能描述:MOSFET 2P-CH 12V 9A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):12V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 9A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):850mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):23nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2100pF @ 6V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準包裝:1 AO4821 功能描述:MOSFET 2P-CH 12V 9A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):12V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 9A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):850mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):23nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2100pF @ 6V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準包裝:3,000 AO4840E AO4842 AO4842L AO4850 AO4850L AO4852 AO4852L AO4854 AO4854L_102 AO4862 AO4862E AO4882 AO4884 AO4884L_001 AO4886 AO4892 AO4914_101 AO4914L
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