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AOD403_DELTA

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  • 功能描述
  • MOSFET P-CH TO252
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態(tài)
  • 停產(chǎn)
  • FET 類型
  • P 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
  • 15A(Ta),70A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 10V,20V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
  • 3.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 61nC @ 10V
  • Vgs(最大值)
  • ±25V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 3500pF @ 15V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 2.5W(Ta),90W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)
  • 6.2 毫歐 @ 20A,20V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 155°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-252,(D-Pak)
  • 封裝/外殼
  • TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 2,500
AOD403_DELTA 技術(shù)參數(shù)
  • AOD403_030 功能描述:MOSFET P-CH TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):15A(Ta),70A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V,20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):61nC @ 10V Vgs(最大值):±25V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):3500pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),90W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6.2 毫歐 @ 20A,20V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-252 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 AOD403 功能描述:MOSFET P-CH 30V 15A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):15A(Ta),70A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6 毫歐 @ 20A,20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):120nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):5300pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252,(D-Pak) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOD3T40P 功能描述:MOSFET NCH 400V 2A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):400V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.3? @ 1A, 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):139pF @ 100V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252,(D-Pak) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOD3N80 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2.8A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2.8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.8 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):510pF @ 25V 功率 - 最大值:83W 工作溫度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252,(D-Pak) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOD3N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 1.25A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):370pF @ 25V 功率 - 最大值:56.8W 工作溫度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252,(D-Pak) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOD4128 AOD413 AOD4130 AOD4132 AOD4132L AOD4136 AOD4136L AOD413A AOD413A_002 AOD4144_002 AOD4144_003 AOD4146 AOD4158 AOD4158P AOD4160 AOD4162 AOD417 AOD418
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