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AOD607_001

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  • AOD607_001
    AOD607_001

    AOD607_001

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人:李瑞兵

    電話:18897698645

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路華強(qiáng)電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Alpha & Omega Semiconduct

  • 22+

  • -
  • 原裝正品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
AOD607_001 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N/P-CH 30V TO252-4
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態(tài)
  • 停產(chǎn)
  • FET 類型
  • N 和 P 溝道互補(bǔ)型
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
  • 12A(Tc)
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-252-5,DPak(4 引線 + 接片),TO-252AD
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-252-4L
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 2,500
AOD607_001 技術(shù)參數(shù)
  • AOD607 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道,共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):12A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1250pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-5,DPak(4 引線 + 接片),TO-252AD 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-4L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 AOD606 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道,共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):33 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):9.2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):404pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W,1.7W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-5,DPak(4 引線 + 接片),TO-252AD 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-4L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOD604 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-5 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):33 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):9.2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):404pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W,1.7W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-6,DPak(5 引線 + 接片) 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOD603A 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V TO252-4L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道,共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3.5A,3A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):540pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-5,DPak(4 引線 + 接片),TO-252AD 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-4L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 AOD5T40P_101 功能描述:MOSFET N-CH DPAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):最後搶購(gòu) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):400V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3.9A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):9nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):273pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):52W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.45 歐姆 @ 1A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-252,(D-Pak) 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 AOD7S65 AOD8N25 AOD9N40 AOD9N50 AOD9T40P AOE6922 AOE6930 AOE6932 AOE6936 AO-FMEM-SMAM AO-FME-SMA AOH3106 AOH3110 AOH3254 AOI11S60 AOI1N60 AOI1N60L AOI206_002
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