AON4407L_003

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功能描述
MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
過期
FET 類型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能
邏輯電平柵極，1.8V 驅動
漏源極電壓（Vdss）
12V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
9A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
20 毫歐 @ 9A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
850mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
23nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
2100pF @ 6V
功率 - 最大值
2.5W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SMD，扁平引線
供應商器件封裝
8-DFN（3x2）
標準包裝
1

AON4407L_003 技術參數(shù)

AON4407L_002 功能描述:MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 9A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:850mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:23nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2100pF @ 6V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-DFN（3x2）標準包裝:1 AON4407L 功能描述:MOSFET P-CH DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:850mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:23nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2100pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 9.5A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-DFN（3x2）封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤標準包裝:3,000 AON4407_003 功能描述:MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 9A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:850mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:23nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2100pF @ 6V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-DFN（3x3）標準包裝:1 AON4407 功能描述:MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 9A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:850mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:23nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2100pF @ 6V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-DFN（3x2）標準包裝:1 AON3820 功能描述:MOSFET 2 N-CHANNEL 24V 8A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.9 毫歐 @ 8A, 4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:20nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1325pF @ 12V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-DFN（3x3）標準包裝:3,000 AON4807 AON4807_001 AON4807_101 AON5802A AON5802ALS AON5802B AON5802B_101 AON5810 AON5816 AON5820 AON5820_101 AON6144 AON6152 AON6154 AON6156 AON6160 AON6162 AON6200L