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AON7246_101

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 34.5A 8DFN
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態(tài)
  • 停產(chǎn)
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
  • 34.5A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 4.5V,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 11nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值)
  • ±20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 1610pF @ 30V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 34.7W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)
  • 15 毫歐 @ 10A,10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 8-DFN(3x3)
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerVDFN
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 5,000
AON7246_101 技術(shù)參數(shù)
  • AON7246 功能描述:MOSFET N-CH 60V 10A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):10A(Ta),34.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):15 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1610pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(3x3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON7244 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):20A(Ta),50A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):8.5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):32nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2435pF @ 30V 功率 - 最大值:6.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerWDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP(3.3x3.3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON7242 功能描述:MOSFET N-CH 40V 30A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):30A(Ta),50A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.9 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):32nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2365pF @ 20V 功率 - 最大值:6.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerWDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP(3.3x3.3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON7240 功能描述:MOSFET N-CH 40V 19A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):19A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.1 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2200pF @ 20V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(3x3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON7232 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 100V 37A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):37A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):40nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1770pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):39W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):13.5 毫歐 @ 12A, 10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP(3.3x3.3) 封裝/外殼:8-PowerWDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON7400 AON7400A AON7400AL AON7400AL_101 AON7400AL_102 AON7400AL_103 AON7400B AON7400B_101 AON7401 AON7402 AON7402_101 AON7402L AON7403 AON7403L_001 AON7404 AON7405 AON7406 AON7407
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