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AON7548_101

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
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AON7548_101 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH DFN
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • AlphaMOS
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態(tài)
  • 停產(chǎn)
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 14A(Ta),24A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 4.5V,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 22nC @ 10V
  • Vgs(最大值)
  • ±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 1086pF @ 15V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 3.1W(Ta),23W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 8.8 毫歐 @ 20A,10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 8-DFN-EP(3x3)
  • 封裝/外殼
  • 8-VDFN 裸露焊盤
  • 標準包裝
  • 5,000
AON7548_101 技術(shù)參數(shù)
  • AON7548 功能描述:MOSFET N-CH DFN 3X3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):上次購買時間 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):24A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.8 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):22nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1086pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(3x3) 標準包裝:5,000 AON7544 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):30A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):22.5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):951pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):23W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP(3x3) 封裝/外殼:8-PowerVDFN 標準包裝:5,000 AON7538 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):23A(Ta),30A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.1 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1128pF @ 15V 功率 - 最大值:4.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP(3x3) 標準包裝:1 AON7536 功能描述:MOSFET N-CH 30V 68A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):24A(Ta),68A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.2 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2350pF @ 15V 功率 - 最大值:4.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerWDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP(3.3x3.3) 標準包裝:1 AON7534 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):20A(Ta),30A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):22nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1037pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(3x3) 標準包裝:1 AON7754 AON7758 AON7758_001 AON7760 AON7764 AON7784 AON7788 AON7804 AON7804_102 AON7810 AON7812 AON7820 AON7826 AON7900 AON7902 AON7932 AON7932_101 AON7934
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