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AOT12N60_001

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AOT12N60_001 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V TO220
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 最後搶購
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 12A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 50nC @ 10V
  • Vgs(最大值)
  • ±30V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 2100pF @ 25V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 278W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 550 毫歐 @ 6A,10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 供應商器件封裝
  • TO-220
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3
  • 標準包裝
  • 50
AOT12N60_001 技術參數(shù)
  • AOT12N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO-220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):550 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2100pF @ 25V 功率 - 最大值:278W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 AOT12N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):520 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):37nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1633pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 AOT12N40L 功能描述:MOSFET N-CH 400V 11A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):400V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):590 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1110pF @ 25V 功率 - 最大值:184W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 AOT12N30L 功能描述:MOSFET N CH 300V 11.5A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):300V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):420 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):790pF @ 25V 功率 - 最大值:132W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 AOT11S65L 功能描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):399 毫歐 @ 5.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):646pF @ 100V 功率 - 最大值:198W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 AOT15S60L AOT15S65L AOT1606L AOT1608L AOT16N50 AOT1N60 AOT20B65M1 AOT20C60 AOT20C60L AOT20C60PL AOT20N25L AOT20N60L AOT20S60L AOT210L AOT2142L AOT22N50L AOT240L AOT2500L
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