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APT10SCE120B

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APT10SCE120B PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO247
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 停產(chǎn)
  • 二極管類型
  • 碳化硅肖特基
  • 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值)
  • 1200V
  • 電流 - 平均整流(Io)
  • 43A(DC)
  • 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf
  • 1.8V @ 10A
  • 速度
  • 無恢復時間 > 500mA(Io)
  • 反向恢復時間(trr)
  • 0ns
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 200μA @ 1200V
  • 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容
  • 630pF @ 1V,1MHz
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-247-2
  • 供應商器件封裝
  • TO-247
  • 工作溫度 - 結(jié)
  • -55°C ~ 175°C
  • 標準包裝
  • 30
APT10SCE120B 技術(shù)參數(shù)
  • APT10SCD65KCT 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):650V 電流 - 平均整流(Io):17A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.8V @ 10A 速度:無恢復時間 > 500mA(Io) 反向恢復時間(trr):0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 650V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:300pF @ 1V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-2 供應商器件封裝:TO-220 [K] 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 APT10SCD65K 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):650V 電流 - 平均整流(Io):17A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.8V @ 10A 速度:無恢復時間 > 500mA(Io) 反向恢復時間(trr):0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 650V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:300pF @ 1V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-2 供應商器件封裝:TO-220 [K] 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 APT10SCD120K 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 10A Through Hole TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 電流 - 平均整流(Io):10A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 10A 速度:無恢復時間 > 500mA(Io) 反向恢復時間(trr):0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:- 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-2 供應商器件封裝:TO-220 工作溫度 - 結(jié):- 標準包裝:1 APT10SCD120BCT 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 36A (DC) Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 電流 - 平均整流(Io):36A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.8V @ 10A 速度:無恢復時間 > 500mA(Io) 反向恢復時間(trr):0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 1200V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:600pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 APT10SCD120B 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 36A (DC) Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 電流 - 平均整流(Io):36A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.8V @ 10A 速度:無恢復時間 > 500mA(Io) 反向恢復時間(trr):0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 1200V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:600pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:30 APT1204R7BFLLG APT1204R7KFLLG APT12057B2FLLG APT12057B2LLG APT12057JLL APT12057LFLLG APT12067B2FLLG APT12067B2LLG APT12067JFLL APT12067JLL APT1211 APT1211A APT1211AX APT1211AZ APT1211S APT1211SX APT1211SZ APT1211W
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