APTGT200A60TG

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

APTGT200A60TG
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
60510
Microsemi Corporation
IGBT MODULE TRENCH P
22+
-

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共8條
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功能描述
IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4
RoHS
是
類別
半導(dǎo)體模塊 >> IGBT
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
10
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
配置
單一
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）
1.4V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
430A
電流 - 集電極截止（最大）
100µA
Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
輸入
標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻
無(wú)
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應(yīng)商設(shè)備封裝
SOT-227B

APTGT200A60TG 技術(shù)參數(shù)

APTGT200A60T3AG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 290A 750W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:290A 功率 - 最大值:750W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.9V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:12.3nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT200A602G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 290A 625W Chassis Mount SP2 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:290A 功率 - 最大值:625W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.9V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:12.3nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP2 供應(yīng)商器件封裝:SP2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT200A170D3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 400A 1250W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1700V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:400A 功率 - 最大值:1250W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:17nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D-3 模塊供應(yīng)商器件封裝:D3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT200A120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:280A 功率 - 最大值:890W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:14nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT200A120D3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 300A 1040W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:300A 功率 - 最大值:1040W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:6mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:14nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D-3 模塊供應(yīng)商器件封裝:D3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT200H120G APTGT200H60G APTGT200SK120D3G APTGT200SK120G APTGT200SK170D3G APTGT200SK60T3AG APTGT200SK60TG APTGT200TL60G APTGT20A60T1G APTGT20DDA60T3G APTGT20DSK60T3G APTGT20H60T1G APTGT20H60T3G APTGT20TL601G APTGT20X60T3G APTGT225A170G APTGT225DA170G APTGT225DU170G