APTGT35H120T1G

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封裝
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說明
操作

APTGT35H120T1G
林沃田信息技術(深圳)有限公司
林沃田信息技術(深圳)有限公司
聯系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906
資質：營業(yè)執(zhí)照
60510
Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH FULL
22+
-

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功能描述
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> IGBT
系列
-
標準包裝
10
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
配置
單一
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
1.4V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
430A
電流 - 集電極截止（最大）
100µA
Vce 時的輸入電容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
輸入
標準
NTC 熱敏電阻
無
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B

APTGT35H120T1G 技術參數

APTGT35DA120D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 55A 205W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:55A 功率 - 最大值:205W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，35A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:2.5nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D1 供應商器件封裝:D1 標準包裝:1 APTGT35A120T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 55A 208W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:55A 功率 - 最大值:208W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，35A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:2.5nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGT35A120D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 55A 205W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:55A 功率 - 最大值:205W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，35A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:2.5nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D1 供應商器件封裝:D1 標準包裝:1 APTGT30X60T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 600V 50A 90W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:三相反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:90W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，30A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGT30TL60T3G 功能描述:MOD IGBT 600V 50A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:三級反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:90W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，30A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGT400DU120G APTGT400SK120D3G APTGT400SK120G APTGT400SK60D3G APTGT400TL65G APTGT400U120D4G APTGT400U170D4G APTGT450A60G APTGT450DA60G APTGT450DU60G APTGT450SK60G APTGT50A1202G APTGT50A120D1G APTGT50A120T1G APTGT50A120TG APTGT50A170D1G APTGT50A170T1G APTGT50A170TG