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APTM100DA18TG

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • APTM100DA18TG
    APTM100DA18TG

    APTM100DA18TG

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話(huà)：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Microsemi Corporation

  • MOSFET N-CH 1000V 43

  • 22+

  • -

  • APTM100DA18TG
    APTM100DA18TG

    APTM100DA18TG

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話(huà)：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP4

  • 23+

  • -

  • 微芯專(zhuān)營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • APTM100DA18TG
    APTM100DA18TG

    APTM100DA18TG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話(huà)：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 18+

  • -

  • 瑞智芯 只有原裝

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共7條 
  • 1
APTM100DA18TG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 1000V 43A SP4
  • RoHS
  • 是
  • 類(lèi)別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTM100DA18TG 技術(shù)參數(shù)
  • APTM100DA18T1G 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:40A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:216 毫歐 @ 33A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:570nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:14800pF @ 25V 功率 - 最大值:657W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM100AM90FG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:78A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 39A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:744nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:20700pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM100A46FT1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:19A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:552 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:260nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6800pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM100A40FT1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:21A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:480 毫歐 @ 18A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:305nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7868pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM100A23STG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:36A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:270 毫歐 @ 18A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:308nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8700pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM100H35FTG APTM100H45FT3G APTM100H45SCTG APTM100H45STG APTM100H46FT3G APTM100H80FT1G APTM100SK18TG APTM100SK33T1G APTM100SK40T1G APTM100SKM90G APTM100TA35FPG APTM100TA35SCTPG APTM100TDU35PG APTM100U13SG APTM100UM45DAG APTM100UM45FAG APTM100UM60FAG APTM100UM65DAG
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