AS4C4M16D1A-5TANTR

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

AS4C4M16D1A-5TANTR
萬三科技（深圳）有限公司
萬三科技（深圳）有限公司
聯(lián)系人：王小康
電話：181886423070755-21006672
地址：深圳市龍華區(qū)民治街道新牛社區(qū)金地梅隴鎮(zhèn)9棟4單元14C
6500000
Alliance Memory, Inc.
原廠原裝
22+
-
萬三科技秉承原裝實單可議

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功能描述
66PIN TSOP II
制造商
alliance memory, inc.
系列
汽車級，AEC-Q100
零件狀態(tài)
在售
存儲器類型
易失
存儲器格式
DRAM
技術(shù)
SDRAM - DDR
存儲容量
64Mb （4M x 16）
時鐘頻率
200MHz
寫周期時間 - 字，頁
15ns
訪問時間
700ps
存儲器接口
并聯(lián)
電壓 - 電源
2.3 V ~ 2.7 V
工作溫度
-40°C ~ 105°C（TA）
標準包裝
1,000

AS4C4M16D1A-5TANTR 技術(shù)參數(shù)

AS4C4M16D1A-5TAN 功能描述:IC DDR SDRAM 64M 200MHZ 66TSOP 制造商:alliance memory, inc. 系列:汽車級，AEC-Q100 包裝:托盤零件狀態(tài):停產(chǎn) 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR SDRAM 存儲容量:64M（4M x 16）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.3 V ~ 2.7 V 工作溫度:-40°C ~ 105°C（TA）封裝/外殼:66-TSSOP（0.400"，10.16mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:66-TSOP II 標準包裝:108 AS4C4M16D1-5TINTR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 64Mb, 3.3V, 200Mhz 4M x 16 DDR RoHS:否制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube AS4C4M16D1-5TIN 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 64Mb, 3.3V, 200Mhz 4M x 16 DDR RoHS:否制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube AS4C4M16D1-5TCNTR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 64Mb, 3.3V, 200Mhz 4M x 16 DDR RoHS:否制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube AS4C4M16D1-5TCN 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 64Mb, 3.3V, 200Mhz 4M x 16 DDR RoHS:否制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube AS4C4M16S-6TCNTR AS4C4M16S-6TIN AS4C4M16S-6TINTR AS4C4M16S-7TCN AS4C4M16S-7TCNTR AS4C4M16SA-5TCN AS4C4M16SA-5TCNTR AS4C4M16SA-6BAN AS4C4M16SA-6BANTR AS4C4M16SA-6BIN AS4C4M16SA-6BINTR AS4C4M16SA-6TAN AS4C4M16SA-6TANTR AS4C4M16SA-6TCN AS4C4M16SA-6TCNTR AS4C4M16SA-6TIN AS4C4M16SA-6TINTR AS4C4M16SA-7B2CN