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B65526A2000X

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • B65526A2000X
    B65526A2000X

    B65526A2000X

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • EPCOS (TDK)

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共8條 
  • 1
B65526A2000X PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 YOKE ER11 SMD
  • RoHS
  • 制造商
  • Fair-Rite
  • 產(chǎn)品
  • Ferrite Cores
  • 阻抗
  • 365 Ohms
  • 容差
  • 最大直流電流
  • 最大直流電阻
  • 工作溫度范圍
  • - 55 C to + 125 C
  • 封裝 / 箱體
  • 端接類型
  • SMD/SMT
B65526A2000X 技術(shù)參數(shù)
  • B65525JY38 功能描述:FERRITE CORE ER 6.4UH T38 制造商:epcos (tdk) 系列:B65525 零件狀態(tài):有效 內(nèi)核類型:ER 電感因數(shù)(Al):6.4μH 容差:-30%,+40% 間隙:無(wú)缺口 有效磁導(dǎo)率 (μe):5600 初始磁導(dǎo)率(μi):10000 材料:T38 磁心因數(shù)(ΣI/A) mm-1:1.1 有效長(zhǎng)度(e) mm:14.1 有效面積(Ae)mm2:12.4 最小磁心橫截面(Amin)?mm2:- 有效磁體體積(Ve) mm3:174 表面:無(wú)涂層 供應(yīng)商器件封裝:ER 11 x 5 高度:2.50mm 長(zhǎng)度:11.00mm 寬度:6.00mm 直徑:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 B65525JR97 功能描述:FERRITE CORE ER 1.2UH N97 2PCS 制造商:epcos (tdk) 系列:B65525 零件狀態(tài):在售 內(nèi)核類型:ER 電感因數(shù)(Al):1.2μH 容差:-20%,+30% 間隙:無(wú)缺口 有效磁導(dǎo)率 (μe):1086 初始磁導(dǎo)率(μi):2300 材料:N97 磁心因數(shù)(ΣI/A) mm-1:1.1 有效長(zhǎng)度(e) mm:14.1 有效面積(Ae)mm2:12.4 有效磁體體積(Ve) mm3:174 表面:無(wú)涂層 供應(yīng)商器件封裝:ER 11 x 5 高度:2.50mm 長(zhǎng)度:11.00mm 寬度:6.00mm 直徑:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 B65525JR92 功能描述:FERRITE CORE ER 900NH N92 制造商:epcos (tdk) 系列:B65525 零件狀態(tài):有效 內(nèi)核類型:ER 電感因數(shù)(Al):900nH 容差:-20%,+30% 間隙:無(wú)缺口 有效磁導(dǎo)率 (μe):814 初始磁導(dǎo)率(μi):1500 材料:N92 磁心因數(shù)(ΣI/A) mm-1:1.1 有效長(zhǎng)度(e) mm:14.1 有效面積(Ae)mm2:12.4 最小磁心橫截面(Amin)?mm2:- 有效磁體體積(Ve) mm3:174 表面:無(wú)涂層 供應(yīng)商器件封裝:ER 11 x 5 高度:2.50mm 長(zhǎng)度:11.00mm 寬度:6.00mm 直徑:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 B65525JR87 功能描述:FERRITE CORE ER 1.2UH N87 制造商:epcos (tdk) 系列:B65525 零件狀態(tài):有效 內(nèi)核類型:ER 電感因數(shù)(Al):1.2μH 容差:-20%,+30% 間隙:無(wú)缺口 有效磁導(dǎo)率 (μe):1050 初始磁導(dǎo)率(μi):2200 材料:N87 磁心因數(shù)(ΣI/A) mm-1:1.1 有效長(zhǎng)度(e) mm:14.1 有效面積(Ae)mm2:12.4 最小磁心橫截面(Amin)?mm2:- 有效磁體體積(Ve) mm3:174 表面:無(wú)涂層 供應(yīng)商器件封裝:ER 11 x 5 高度:2.50mm 長(zhǎng)度:11.00mm 寬度:6.00mm 直徑:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 B65525JR49 功能描述:FERRITE CORE ER 800NH N49 制造商:epcos (tdk) 系列:B65525 零件狀態(tài):有效 內(nèi)核類型:ER 電感因數(shù)(Al):800nH 容差:-20%,+30% 間隙:無(wú)缺口 有效磁導(dǎo)率 (μe):715 初始磁導(dǎo)率(μi):- 材料:N49 磁心因數(shù)(ΣI/A) mm-1:1.1 有效長(zhǎng)度(e) mm:14.1 有效面積(Ae)mm2:12.4 最小磁心橫截面(Amin)?mm2:- 有效磁體體積(Ve) mm3:174 表面:無(wú)涂層 供應(yīng)商器件封裝:ER 11 x 5 高度:2.50mm 長(zhǎng)度:11.00mm 寬度:6.00mm 直徑:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 B65531D0040A033 B65531D0063A033 B65531D0100A048 B65531D0400J048 B65531D100A48 B65531D160A48 B65531D250A48 B65531D25A1 B65531D400J48 B65531D40A1 B65531D40A33 B65531D63A33 B65531DR30 B65531DR33 B65531DR48 B65531T0000R048 B65531T0100A033 B65531T0160A048
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