B82422H1104J

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

B82422H1104J
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
EPCOS (TDK)
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

B82422H1104J
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
4000
EPCOS
6
-
公司現(xiàn)貨!只做原裝!

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制造商
TDK-EPC
功能描述
Inductor;SMT 1210-H 100 uH 5%
制造商
TDK-EPC
功能描述
Ind Power Chip Molded Wirewound 100uH 5% 796KHz 20Q-Factor Ferrite 150mA 1210 Blister T/R
制造商
TDK Epcos
功能描述
SMT-INDUCTOR 1210-H 100 UH 5% - Tape and Reel
制造商
TDK-EPC
功能描述
SMT-INDUCTOR 1210-H 100 UH 5% - Tape and Reel
制造商
TDK-EPC
功能描述
SMT-INDUCTOR 1210-H 100UH 5%

B82422H1104J 技術(shù)參數(shù)

B82422H1103K100 功能描述:10μH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 1.2 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:10μH 容差:±10% 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.2 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:15 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:30MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1210（3225 公制）大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.083"（2.10mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82422H1103K 功能描述:10μH Unshielded Wirewound Inductor 500mA 460 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:10μH 容差:±10% 額定電流:500mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:460 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:12 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:30MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1210（3225 公制）大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.083"（2.10mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82422H1103J 功能描述:FIXED IND 10UH 300MA 460 MOHM 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:10μH 容差:±5% 額定電流:500mA 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:460 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:12 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:30MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD，J 形引線供應(yīng)商器件封裝:- 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82422H1102K100 功能描述:1μH Unshielded Wirewound Inductor 650mA 220 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:1μH 容差:±10% 額定電流:650mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:220 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:10 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:200MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1210（3225 公制）大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.083"（2.10mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82422H1102K 功能描述:1μH Unshielded Wirewound Inductor 1.15A 100 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:1μH 容差:±10% 額定電流:1.15A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:100 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:10 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:150MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1210（3225 公制）大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.083"（2.10mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82422H1154J000 B82422H1154K B82422H1182K B82422H1182K000 B82422H1222K B82422H1222K100 B82422H1223J B82422H1223K B82422H1223K100 B82422H1224J B82422H1224K B82422H1272K B82422H1272K000 B82422H1274J B82422H1274J000 B82422H1274K B82422H1274K000 B82422H1332J