B82462G2334M

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

B82462G2334M
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
EPCOS (TDK)
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百正品

B82462G2334M000
深圳市亞泰盈科電子有限公司
深圳市亞泰盈科電子有限公司
聯(lián)系人：鄭小姐
電話：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田區(qū)佳和大廈B座1410-1411
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
20356
EPCOS/愛普科斯
SMD
2022+
-
全新原裝現(xiàn)貨支持BOM表配單

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功能描述
INDUCTOR POWER 330UH 220MA SMD
RoHS
是
類別
電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式
系列
-
標準包裝
500
系列
1331
電感
1.2µH
電流
247mA
電流 - 飽和
247mA
電流 - 溫升
-
類型
鐵芯體
容差
±10%
屏蔽
屏蔽
DC 電阻(DCR)
最大 730 毫歐
Q因子@頻率
40 @ 7.9MHz
頻率 - 自諧振
130MHz
材料 - 芯體
鐵
封裝/外殼
0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm）
安裝類型
表面貼裝
包裝
帶卷 (TR)
工作溫度
-55°C ~ 105°C
頻率 - 測試
7.9MHz

B82462G2334M 技術(shù)參數(shù)

B82462G2332M 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 2A 40 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G2 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:2A 電流 - 飽和值:2.05A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:40 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:100kHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm）高度 - 安裝（最大值）:0.098"（2.50mm）標準包裝:1 B82462G2223M 功能描述:22μH Shielded Wirewound Inductor 830mA 245 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G2 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:22μH 容差:±20% 額定電流:830mA 電流 - 飽和值:830mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:245 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:100kHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm）高度 - 安裝（最大值）:0.098"（2.50mm）標準包裝:1 B82462G2222M 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 2.3A 32 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G2 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:2.3A 電流 - 飽和值:2.55A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:32 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:100kHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm）高度 - 安裝（最大值）:0.098"（2.50mm）標準包裝:1 B82462G2104M 功能描述:100μH Shielded Wirewound Inductor 410mA 950 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G2 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:100μH 容差:±20% 額定電流:410mA 電流 - 飽和值:410mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:950 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:100kHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm）高度 - 安裝（最大值）:0.098"（2.50mm）標準包裝:1 B82462G2103M 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 1.25A 106 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G2 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:10μH 容差:±20% 額定電流:1.25A 電流 - 飽和值:1.28A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:106 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:100kHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm）高度 - 安裝（最大值）:0.098"（2.50mm）標準包裝:1 B82462G4152M B82462G4153M B82462G4154M B82462G4222M B82462G4223M B82462G4224M B82462G4332M B82462G4333M B82462G4334M B82462G4472M B82462G4473M B82462G4474M B82462G4682M B82462G4683M B82462G4684M B82462G4684M000 B82462X0004 B82462X00040000