BAR6406WE6327HTSA1

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BAR6406WE6327HTSA1
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
9800
Infineon Technologies
PG-SOT323-3
19+
-
代理直銷！進口原裝正品！

BAR6406WE6327HTSA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
DIODE RF CA 150V 100MA SOT-323

BAR6406WE6327HTSA1 技術(shù)參數(shù)

BAR6406E6327HTSA1 功能描述:DIODE RF CA 150V 100MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售二極管類型:PIN - 1 對共陽極電壓 - 峰值反向（最大值）:150V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?If，F(xiàn) 時的電阻:1.35 歐姆 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:250mW 工作溫度:150°C（TJ）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 基本零件編號:BAR64-06 標準包裝:1 BAR6405WH6327XTSA1 功能描述:RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 150V 100mA 250mW PG-SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:PIN - 1 對共陰極電壓 - 峰值反向（最大值）:150V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?If，F(xiàn) 時的電阻:1.35 歐姆 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:250mW 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:1 BAR6405WE6433HTMA1 功能描述:RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 150V 100mA 250mW PG-SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:PIN - 1 對共陰極電壓 - 峰值反向（最大值）:150V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?If，F(xiàn) 時的電阻:1.35 歐姆 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:250mW 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:10,000 BAR6405WE6327BTSA1 功能描述:RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 150V 100mA 250mW PG-SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:PIN - 1 對共陰極電壓 - 峰值反向（最大值）:150V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?If，F(xiàn) 時的電阻:1.35 歐姆 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:250mW 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:3,000 BAR6405E6433HTMA1 功能描述:RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 150V 100mA 250mW PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:PIN - 1 對共陰極電壓 - 峰值反向（最大值）:150V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?If，F(xiàn) 時的電阻:1.35 歐姆 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:250mW 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:10,000 BAR74E6327HTSA1 BAR81WE6327BTSA1 BAR81WH6327XTSA1 BAR8802LRHE6327XTSA1 BAR8802VH6327XTSA1 BAR8902LRHE6327XTSA1 BAR8902LRHE6433XTMA1 BAR9002ELE6327XTMA1 BAR9002ELSE6327XTSA1 BAR9002LRHE6327XTSA1 BAR9002LSE6327XTSA1 BAR90098LRHE6327XTSA1 BAR-J-22 BARO-A-4V-REF-PRIME BAS 125-06W E6327 BAS 16 B5003 BAS 16-02V E6327 BAS 16-02W E6327