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BCR 192 B6327

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
  • 操作
  • BCR 192 B6327
    BCR 192 B6327

    BCR 192 B6327

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
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  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
BCR 192 B6327 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • TRANSISTOR PNP DGTL AF SOT-23
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 10,000
  • 系列
  • -
  • 晶體管類型
  • NPN - 預偏壓
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)
  • 100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)
  • 50V
  • 電阻器 - 基極 (R1)(歐)
  • 47k
  • 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐)
  • 47k
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
  • 70 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)
  • 300mV @ 500µA,10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)
  • -
  • 頻率 - 轉換
  • 100MHz
  • 功率 - 最大
  • 250mW
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • SC-70,SOT-323
  • 供應商設備封裝
  • PG-SOT323-3
  • 包裝
  • 帶卷 (TR)
  • 其它名稱
  • SP000756242
BCR 192 B6327 技術參數(shù)
  • BCR 191T E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):22k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):22k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應商器件封裝:PG-SC-75 標準包裝:3,000 BCR 191L3 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):22k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):22k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 供應商器件封裝:PG-TSLP-3 標準包裝:15,000 BCR 191F E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):22k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):22k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:PG-TSFP-3 標準包裝:3,000 BCR 189T E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):22k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應商器件封裝:PG-SC-75 標準包裝:3,000 BCR 189L3 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):22k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 供應商器件封裝:PG-TSLP-3 標準包裝:15,000 BCR 199F E6327 BCR 199L3 E6327 BCR 199T E6327 BCR 22PN H6727 BCR 401R E6327 BCR 402R E6327 BCR 402U E6433 BCR 48PN H6727 BCR 503 B6327 BCR 512 B6327 BCR 519 E6327 BCR 569 E6327 BCR08AM-12A#B00 BCR08AM-12A-TB#B00 BCR08AM-14A#B00 BCR08AM-14A#FD0 BCR08AM-14A-A6#B00 BCR08AS-12AT14#B11
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