BCR183UE6327HTSA1

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BCR183UE6327HTSA1
中山市翔美達電子科技有限公司
中山市翔美達電子科技有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：155020706551802218672813590991023
地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室
6000
英飛凌
NA
19+
-
公司全新原裝正品,QQ153058080...

BCR183UE6327HTSA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin SC-74 T/R
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
AF DIGITAL TRANSISTORS - Tape and Reel
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
TRANSISTORS PNP DGTL 50V SC-74

BCR183UE6327HTSA1 技術(shù)參數(shù)

BCR183SH6433XTMA1 功能描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期晶體管類型:2 個 PNP 預(yù)偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BCR183SH6327XTSA1 功能描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):上次購買時間晶體管類型:2 個 PNP 預(yù)偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BCR183SE6433BTMA1 功能描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期晶體管類型:2 個 PNP 預(yù)偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BCR183SE6327BTSA1 功能描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期晶體管類型:2 個 PNP 預(yù)偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BCR183E6433HTMA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):上次購買時間晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BCR191E6327HTSA1 BCR191WE6327HTSA1 BCR191WH6327XTSA1 BCR192E6327HTSA1 BCR192E6785HTSA1 BCR192WE6327HTSA1 BCR192WH6327XTSA1 BCR196E6327HTSA1 BCR196WE6327HTSA1 BCR196WH6327XTSA1 BCR198B6327HTLA1 BCR198E6327HTSA1 BCR198E6393HTSA1 BCR198E6433HTMA1 BCR198SE6327BTSA1 BCR198SH6327XTSA1 BCR198SH6827XTSA1 BCR198WE6327BTSA1