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BCY79-VIII

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  • BCY79-VIII
    BCY79-VIII

    BCY79-VIII

  • 林沃田信息技術(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:岳先生 田小姐

    電話:0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Central Semiconductor Cor

  • THROUGH-HOLE TRANSIS

  • 22+

  • -
  • BCY79-VIII #T
    BCY79-VIII #T

    BCY79-VIII #T

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • N/A

  • CAN3

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理,原裝特價現(xiàn)貨!

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  • 1
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  • 制造商
  • CENTRAL
  • 制造商全稱
  • Central Semiconductor Corp
  • 功能描述
  • PNP SILICON TRANSISTOR
BCY79-VIII 技術參數(shù)
  • BCY79-VII 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):800mV @ 2.5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000 BCY79-IX 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):800mV @ 2.5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):250 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000 BCY59-X 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):700mV @ 2.5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):10nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):380 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000 BCY59X 功能描述:TRANS NPN 45V 0.2A TO-18 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):700mV @ 2.5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):10nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:390mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:1,000 BCY59-VIII 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):700mV @ 2.5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):10nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000 BD00GA3MEFJ-ME2 BD00GA3WEFJ-E2 BD00GA3WNUX-TR BD00GA5MEFJ-ME2 BD00GA5WEFJ-E2 BD00GC0MEFJ-LBH2 BD00GC0MEFJ-ME2 BD00GC0WEFJ-E2 BD00HA3MEFJ-LBH2 BD00HA3MEFJ-ME2 BD00HA3WEFJ-E2 BD00HA5MEFJ-ME2 BD00HA5WEFJ-E2 BD00HC0MEFJ-ME2 BD00HC0WEFJ-E2 BD00HC5MEFJ-LBH2 BD00HC5MEFJ-ME2 BD00HC5WEFJ-E2
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