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BS170ZL1G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BS170ZL1G
    BS170ZL1G

    BS170ZL1G

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ON

  • TO-92

  • 07+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • BS170ZL1G
    BS170ZL1G

    BS170ZL1G

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-8860880117727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 69200

  • ON

  • TO-92

  • 18+

  • -

  • 全新原裝，優(yōu)勢庫存

  • BS170ZL1G
    BS170ZL1G

    BS170ZL1G

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865720

  • 原廠

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨?。?/p>

  • 1/1頁 40條/頁 共25條 
  • 1
BS170ZL1G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET 60V 500mA N-Channel
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BS170ZL1G 技術參數(shù)
  • BS170RLRPG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:60pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BS170RLRP 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:60pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BS170RLRMG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.5A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:60pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1 BS170RLRAG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:60pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1 BS170RLRA 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:60pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:10 BS18-L BS18-M BS1-IC BS-1S-1 BS1SSL16999XW BS-1T BS-1T CHITAN BS-1T HAS B BS-1T HAS C BS-1T SUS316 BS1USB BS-200.000MBB-T BS-200.000MBC-T BS-200.000MCB-T BS-200.000MCC-T BS201246EU BS201846EU BS202446EU
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