BSC0702LSATMA1

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BSC0702LSATMA1 技術(shù)參數(shù)

BSC067N06LS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Ta），50A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.7 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 35μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:67nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5100pF @ 30V 功率 - 最大值:69W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC066N06NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 64A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:64A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.6 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1500pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC065N06LS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:64A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1800pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:46W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 32A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSC061N08NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 82A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:82A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.1 毫歐 @ 41A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 41μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2500pF @ 40V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSC060P03NS3EGATMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:17.7A（Ta），100A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 150μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:81nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:6020pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），83W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 50A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC079N03SG BSC079N10NSGATMA1 BSC080N03LSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 BSC080P03LS G BSC080P03LSGAUMA1 BSC082N10LSGATMA1 BSC084P03NS3 G BSC084P03NS3EGATMA1 BSC084P03NS3GATMA1 BSC085N025S G BSC0901NS BSC0901NSATMA1 BSC0901NSI BSC0901NSIATMA1 BSC0902NS BSC0902NSATMA1 BSC0902NSI