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BSC882N03MSGATMA1

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  • BSC882N03MSGATMA1
    BSC882N03MSGATMA1

    BSC882N03MSGATMA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
BSC882N03MSGATMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSC882N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態(tài):有效 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC750N10NDGATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.2A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 12μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:720pF @ 50V 功率 - 最大值:26W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 基本零件編號(hào):BSC750N10 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC750N10ND G 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.2A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 12μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:720pF @ 50V 功率 - 最大值:26W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8（5.15x6.15） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC670N25NSFDATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 250V 24A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:24A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 90μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2410pF @ 125V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:150W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:67 毫歐 @ 24A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC600N25NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:25A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 90μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:29nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2350pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:125W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC9131NJN1HHHB BSC9131NJN7HHHB BSC9131NLE7HHHB BSC9131NLN1HHHB BSC9131NSE7KHKB BSC9131NSN1KHKB BSC9131NSN7KHKB BSC9131NXE7KHKB BSC9131NXN1KHKB BSC9131NXN7KHKB BSC9132NSE7KNKB BSC9132NSE7MNMB BSC9132NSN7KNKB BSC9132NSN7MNMB BSC9132NXE7KNKB BSC9132NXE7MNMB BSC9132NXN7KNKB BSC9132NXN7MNMB
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